1. Họ và tên nghiên cứu sinh: Nguyễn Quang Hòa                     2.Giới tính: Nam

3. Ngày sinh:     20/4/1979                                                           4. Nơi sinh: Hà Nội

5. Quyết định công nhận  nghiên cứu sinh: Số 4050/QĐ-KHTN-CTSV ký ngày 19/9/2013, của Hiệu trưởng Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội

6. Các thay đổi trong quá trình đào tạo:

Quyết định gia hạn số 1033/QĐ-ĐHKHTN  ngày 25/4/2017 và số 597/QĐ-ĐHKHTN ngày 6/3/2018 của Hiệu trưởng Trường Đại học Khoa học Tự nhiên.

8. Chuyên ngành: Vật lý Chất rắn                                                                       

9. Mã số: 9440130.02

10. Cán bộ hướng dẫn khoa học:           Hướng dẫn chính:         TS. Bùi Nguyên Quốc Trình

                                                            Hướng dẫn phụ:            GS. TS. Bạch Thành Công

11. Tóm tắt các kết quả mới của luận án:

Đã nghiên cứu chế tạo và khảo sát một cách hệ thống các dung dịch tiền chất nền ZnO và CuO.

Đã chế tạo và khảo sát các tính chất của các màng mỏng nền ZnO và CuO.

Ứng dụng màng mỏng CuO vào việc chế tạo thử nghiệm linh kiện điện tử transistor.

Chế tạo và khảo sát màng mỏng ITO và LNO bằng phương pháp dung dịch dùng làm điện cực cho ứng dụng pin mặt trời.

Bước đầu chế tạo thử nghiệm pin mặt trời trên cơ sở các màng mỏng đã chế tạo.

12. Khả năng ứng dụng thực tiễn:

Các kết quả nghiên cứu bước đầu mở ra hướng đi mới trong việc sử dụng công nghệ đơn giản, rẻ tiền để tạo ra các linh kiện điện tử phù hợp.

13. Các hướng nghiên cứu tiếp theo:

Đối với transistor dạng màng mỏng, thay thế lớp điện môi truyền thống SiO2 bằng các vật liệu có hằng số điện môi cao như HfO2 hay Al2O3. Ngoài ra, lớp điện cực tiếp xúc với kênh dẫn ô-xít bán dẫn cũng cần được lựa chọn để đảm bảo tiếp xúc Ohmic.

Đối với cấu trúc pin mặt trời được chế tạo hoàn toàn từ ô-xít bán dẫn và phương pháp quay phủ, lớp tiếp xúc giữa các lớp điện cực và chuyển tiếp p-n cũng cần đảm bảo Ohmic. Do đó, cần tiến hành khảo sát và điều khiển giá trị công thoát (work function) cho các lớp điện cực LNO và ITO.

Đánh giá khả năng chịu đựng và độ lặp lại của từng linh kiện điện tử, nhằm tích hợp trong các mạch điện tử logic, hướng tới chế tạo thiết bị hiển thị cong.

14. Các công trình công bố liên quan đến luận án:

Nguyen Quang Hoa, Nguyen Thi Xuyen, Vuong Quoc Viet, Vu Thi Huyen Trang, Hoang Ha, Hoang Thi Thanh Tam, Vu Thi Dung, Tran Van Dung, Bui Nguyen Quoc Trinh (2016), “Study on ITO thin films prepared by multi-annealing technique”, Journal of Science and Technology 54(1A), pp. 136-142.

Van Dung Nguyen and Quang Hoa Nguyen and Van Dung Tran and Nguyen Quoc Trinh Bui (2017), “Solution-processed doping and undoping zinc-oxide and copper-oxide thin films”, International Thin Films Conference (TACT), 15-18 October 2017, Hualien, Taiwan.

Quang Hoa Nguyen and Nguyen Quoc Trinh Bui (2017), “Characterization on CuO thin films deposited by solution process”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 10 (SPMS 2017), 19-21 October 2017, Hue, Vietnam.

Nguyen Quang Hoa, Nguyen Van Dung, Akihiko Fujiwara, Bui Nguyen Quoc Trinh (2018), “Solution-processed CuO thin films with various Cu2+ ion concentrations”, Thin Solid Films 660, pp. 819-823.

Nguyen Quang Hoa, Bui Nguyen Quoc Trinh (2018) “Conductive-perovskite LaNiO3 thin films prepared using solution process for electrode application”, VNU Journal of Science: Mathematics – Physics 34(2), pp. 29-35.

Nguyen Van Dung, Le Thi Hien, Nguyen Quang Hoa, Bui Nguyen Quoc Trinh (2018), “P-type Channel CuO Thin Film Transistors Fabricated by Solution Processing”, The 9th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology Conference, 7-11 November 2018, Ninh Binh, Vietnam.

Le Thi Hien, Nguyen Quang Hoa, Bui Nguyen Quoc Trinh (2019), “Characterization on Cu doped ZnO thin films prepared by solution processing”. Hanoi International Symposium on Advanced Materials and Devices Conference (HISAMD2019), January 10-12, 2019, Hanoi, Vietnam.